株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるCMPプロセスでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「CMP」講座を開講いたします。

次世代基板に向けたCMPプロセス・加工とスラリー・パッドの最新動向の課題を学べる。
本講座は、2022年07月27日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=9983

  • Live配信・WEBセミナー講習会 概要

テーマ：次世代基板・次世代デバイスに向けたCMPプロセス・加工と スラリー・パッドの基礎および最新技術動向
開催日時：7月27日(水) 13:00-17:15
参 加 費：44,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=9983
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

  • セミナー講習会内容構成

ープログラム・講師ー

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第1部 CMPプロセス技術及び次世代SiC基板の最新加工技術
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講師 近畿大学 理工学部 機械工学科 准教授 博士(工学) 藤田 隆 氏


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第2部 CMPにおけるスラリー・パッドの基礎と最新技術動向
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講師 (株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
  • 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

・CMPにおける要素技術を体系的に理解することができる。
・CMP技術における表面基準研磨の本質的な考え方を身に着けることができる。
・CMP技術の開発経緯と加工メカニズムの基礎を学ぶことができる。
・現行のCMP技術をさらに発展させていく上で、今後どのような点が技術的課題であるか
といった研究開発していく中でのポイントなる指針を見つけることができる。
スラリー、研磨パッドおよびパッドコンディショナーの基礎的知識とCMPによる平坦化や材料除去のメカニズムおよび消耗材料との関係についての知識

  • 本セミナーの受講形式

WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

  • 株式会社AndTechについて

化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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  • 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

  • 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

第1講 CMPプロセス技術及び次世代SiC基板の最新加工技術


【講演概要】
本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から重要な要素技術に着目し、再度基本に立ち返ってCMPに求められる要素技術を検証する。その要素技術として、まずウェーハ面内の圧力分布の設計方法、ウェーハエッジ形状の制御を取り上げる。また、研磨パッド状態の定量化について詳述し、その研磨パッドを効率的にコンディショニングする微細パッドコンディショニング技術について解説する。


【講演プログラム】
１． CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史
1-1. 研磨技術の概要
1-2. Siウェーハの加工プロセス
1-3. ラッピング加工
1-4. 研磨加工
1-5. 化学機械研磨の研磨メカニズム

２．CMP(Chemical Mechanical Planarization)要素技術の概要
2-1.CMPにおける重要な要素技術
2-2.CMP要素技術とCMPに求められる仕様
2-3.研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
2-4.CMP圧力分布の設計方法
2-5.圧力分布調整へのアプローチ
2-6.静的圧力分布と動的研磨状態との対応
2-7.圧力分布制御技術
2-8.研磨均一性と圧力分布形状の対応
2-9.ウェーハエッジ形状のコントロール
2-10.リテーナリング高さ設定によるエッジ形状コントロール

３．CMP要素技術 終点検出技術
3-1. 終点検出の種類と概要
3-2. 光学式終点検出技術
3-3. 渦電流式終点検出
3-4. 表皮効果を利用した渦電流終点検出
3-5. 電磁波の透過の相互確認による終点検出

４．次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術
4-1. 三次元実装技術
4-2. ダイシングと平面研削加工の融合技術
4-3. SiC基板における加工技術
4-4. 次世代ダイシング・溝入れ加工技術

【質疑応答】

第2講 CMPにおけるスラリー・パッドの基礎と最新技術動向


【講演概要】
CMPのプロセス性能を左右する重要な要素はスラリーと研磨パッドであり、その研磨パッドの表面状態を決定するパッドコンディショナーもまた重要である。本講ではスラリー、研磨パッド、パッドコンディショナーについてその製造方法や用いられる材料、評価方法などについて解説する。また、代表的なCMPの性能指標である平坦化と研磨レートについては、被研磨材料や構造によってそれらのメカニズムが異なること、それらの性能とスラリーや研磨パッドの材料物性との関係についても解説する。

【講演プログラム】
1．平坦化
1-1 基板の平坦化指標
1-2 デバイスの平坦化～グローバル平坦化とローカル平坦化
1-3 平坦化メカニズムの違い～研磨パッド、スラリーとの関係
2．スラリー
2-1 スラリーの市場動向
2-2 砥粒の種類と特徴
2-3 各アプリケーション別スラリーの特徴
2-4 スラリーの評価方法
3．研磨パッドとパッドコンディショナー
3-1 研磨パッドの市場動向
3-2 研磨パッドの種類と用途
3-3 研磨パッドの製造方法
3-4 パッドコンディショナーの構造
3-5 研磨パッドの評価方法
4．材料除去メカニズム
4-1 プレストンの式
4-2 フェレ径モデル
4-3 各種材料の推定研磨メカニズム
4-4 開発のヒント
5. まとめ

【質疑応答】


＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以 上

配信元企業：株式会社ＡｎｄＴｅｃｈ

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